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    可控硅简介可控硅（SiliconControlledRectifier）简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。可控硅特性1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。市场上常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列。山东品质英飞凌可控硅现货

    中文名单向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier别名可控硅整流器性质电子元件目录1结构控制2对比3引脚区分4性能检测5单向和双向可控硅的区分单向可控硅结构控制编辑单向可控硅为具有三个PN结的四层结构，由外层的P层、N层引出两个电极――阳极A和阴极K，由中间的P层引出控制极G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极――控制极或触发极G。SCR或MCR为英文缩写名称。从控制原理上可等效为一只PNP三极管和一只NPN三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从G、K回路输入NPN管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。控制信号UGK的作用是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。单向可控硅的导通需要两个条件：1）A、K之间加正向电压；2）G、K之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：1）使正向导通电流值小于其工作维持电流值；2）使A、K之间电压反向。可见，可控硅器件若用于直流电路。山东品质英飞凌可控硅现货它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

    可控硅基础知识环昕微可控硅基础知识，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。4.单向可控硅介绍（1）4.单向可控硅介绍。

    1）.过压击穿可控硅不能承受电压而损坏，可控硅对过压的承受能力几乎没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿。过压击穿特征：芯片中有一个光洁的小孔。检查可控硅两端RC吸收回路是否有烧坏或失效的，即可避免干扰脉冲所引起的瞬间过压。（2）过流击穿电流超过额定电流，并在可控硅芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，失效且不能恢复。过流击穿特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。选择可控硅耐压2~3倍。（3）过热击穿工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿。特征：电子元器件表面有烧焦现象，痕迹特征是芯片出现坑洞。注意环境温度，保持可控硅与散热器之间的接触面良好。11.可控硅电压说明功率器件的耐压与市电输入电压有直接关系，通常情况下，功率器件的耐压是市电输入电压的三倍。故，正反向耐压计算公式为：输入电压×3=功率器件的額定电压。例如：中国的市电两相输入电压为180V~240V，国标是以220V为标准值，功率器件在计算其耐压时是取平均值的，即以200V为基准，则计算公司为：200V×3≈600V，三相电输入的280V～380V，三相电的应用主要是电机电路，电压落差也很大。故功率器件取其平均值也分几个档次：265V。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A。

    它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。可控硅结构示意图和符号图可控硅工作原理编辑可控硅结构原件可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗增加。山东品质英飞凌可控硅现货

在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。山东品质英飞凌可控硅现货

    改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。2：大；塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。可控硅鉴别编辑可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。山东品质英飞凌可控硅现货